12月31日，香港科技大学宣告，校园工学院成功研制一款全球开创的深紫外Micro LED显现阵列晶圆，此高光效晶元可协作无掩模紫外光光刻技能，进步其光输出功率密度准确性，并以较低本钱及更速效的办法推动半导体晶片出产的技能发展。

  这项研讨由港科大先进显现与光电子技能国家重点实验室开创主任郭海成教授辅导，并与南边科技大学和我国科学院姑苏纳米所协作。

  据悉，光刻机是用以制作半导体的重要设备，它使用短波长的紫外光构成不同图画，然后出产出各种集成电路晶片。但是，这种运用传统汞灯和深紫外LED光源的制作有缺乏之处，例如器材尺度大、解析度低、能源消耗高、输出的光效低且功率密度缺乏，不利于晶片制作。

  为了处理上述难题，研讨团队制作了一个无掩模光刻原型机渠道，使用它制作了首个由深紫外Micro LED无掩模曝光的Micro LED显现阵列晶元。过程中进步了紫外光萃取功率、增强其热散布效能，并改善了晶体外延的应力开释。

  郭教授特别说到，团队制作的Micro LED显现阵列晶元成功完成了多项要害性技能打破，包含进步了光源的功率及效能、图画显现解析度、进步萤幕功能及快速曝光才能。此Micro LED显现晶元有效地将紫外光源和掩模版上的图画融为一体，迅速地供给满足的辐照剂量为光阻剂进行光学曝光，推动半导体出产技能发展。

  郭教授进一步指出,近年来，低本钱、高精度的无掩模光刻技能已成为半导体职业的新式研制热门。因为这种技能可以更灵敏调整曝光图画，然后供给更多样化的定制选项，并节约制作光刻掩模版的本钱。因而，关于自主开发半导体设备而言，有助进步光阻剂敏感度的短波长Micro LED技能显得很要害。

  港科大电子及计算机工程学系博士后研讨员冯锋博士总结道，与其他具代表性的研讨比较，团队完成了更小的器材尺度、更低的驱动电压、更高的外量子功率、更高的光功率密度、更大规划的阵列尺度，以及更高的显现解析度。这些都是要害的功能进步，各项目标均显现，本研讨的效果抢先全球。

  展望下一阶段的研讨，团队方案持续进步AlGaN深紫外Micro LED的各项功能，并改善原型机，开发2k至8k高解析度的深紫外Micro LED显现萤幕。

  本研讨的榜首作者为冯锋博士，通讯作者则为港科大电子及计算机工程学系的客席副教授兼南边科技大学副教授刘召军。小组成员还包含港科大电子及计算机工程学系的博士后研讨员刘弈鎛博士、博士毕业生张珂博士，和来自各协作组织的研讨人员。

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